但公开的资料显示这个谈判并不顺利，战高也没有消息透露出已经成功。
（b）在2K时，战高PtTe2薄膜的MR沿两个不同方向的磁场变化。战高表明PtTe2是低功率SOT器件和与电荷自旋互转换有关的其他应用的引人注目的材料。
战高（d）相位脱散长度lφ的温度相关性及其用lφ∝T-γ的拟合。根据ST-FMR测量，战高在PtTe2/Py双层中建立了由类似阻尼转矩控制的大量SOT，其中PtTe2的TSS可能起重要作用。总之，战高该工作提出了一种可行的策略来研究自旋电子学的潜在TMD材料。
（b）PtTe2中的Irf流动会生成包括面内和面外分量的SOT，战高并驱动Py的磁化沿长轴方向有效进入。（c）PtTe2薄膜在H⊥和低温下的磁导，战高其中Δσxx=(L/Wt)/Rxx，L、W和t为PtTe2通道的长度、宽度和厚度。
典型的SOT设备由重金属/铁磁体（HM/FM）双层组成，战高其中HM（Pt、战高W等）主要由于自旋霍尔效应（SHE）将电荷电流转换为自旋电流，然后在相邻的FM上施加扭矩，从而实现磁化操纵。
在目前研究的TMD中，战高PtTe2的自旋霍尔电导率（0.2-2×105ℏ/2e(Ωm)-1）最大，可与Pt和拓扑绝缘体相比。战高（e）Cs3Cu2I5纳米晶的吸收光谱。
战高【引言】照明和显示是国民经济的重要支柱型产业。上述结果验证了新型Cs3Cu2I5纳米晶作为稳定、战高高效蓝光发射体的巨大潜力，为环境友好型蓝光量子点LED的研制提供了新的思路。
进一步，战高通过将Cs3Cu2I5纳米晶作为发光层，成功制备出了环境友好型的电驱动深蓝光LED。战高（i）Cs3Cu2I5材料的自限域激子态发光特征。
